长鑫存储秘密研发键合DRAM 或成颠覆性技术 避用极紫外光
据科技媒体Wccftech及韩媒Korea Economic Daily报导，中国存储芯片企业长鑫存储已开始秘密研发下一代“键合DRAM”，该技术被视为可能颠覆业界的新型存储产品，且只需使用深紫外光（DUV）微影设备即可生产，无需用到在中国遭禁的极紫外光（EUV）设备。 晶圆对晶圆混合键合取代传统微…
据科技媒体Wccftech及韩媒Korea Economic Daily报导，中国存储芯片企业长鑫存储已开始秘密研发下一代“键合DRAM”，该技术被视为可能颠覆业界的新型存储产品，且只需使用深紫外光（DUV）微影设备即可生产，无需用到在中国遭禁的极紫外光（EUV）设备。 晶圆对晶圆混合键合取代传统微…