🏭SK海力士美国首座工厂破土！$40亿投资印第安纳，2030年HBM基地目标
SK海力士周四在印第安纳州西拉法叶市举行首个美国工厂奠基仪式，将用于高带宽内存（HBM）芯片封装，而非前端制造。项目耗资$40亿，目标2030年前使印第安纳州成为“美国重要的HBM生产基地”。 📌 项目细节 用途：芯片封装 （芯片在韩国/中国生产，部分运至印第安纳封装） 首座洁净室：2028年10月…
美股13日早盘涨跌互见 SK海力士ADR大跌拖累半导体股 道琼逆势走高
美股13日早盘涨跌互见，SK海力士美国存托凭证大跌拖累国内半导体股及科技股为主的标普和纳斯达克指数，道琼则逆势上涨。费城半导体指数大跌3.9%，台积电ADR跌1.6%。 SK海力士ADR大跌逾8% 拖累美光、SanDisk及Seagate SK海力士上周五上市首日大涨13%，今日早盘却大跌逾8%。美…
SK海力士纳斯达克上市首日涨13% 募资265亿美元 董事长称“需求无限”
SK海力士周五在纳斯达克上市首日收盘上涨13%至168.01美元，发行价149美元募资265亿美元用于扩张计划。该股当前代码SKHYV，周二将更名为SKHY。 “每个人都希望获得更多芯片” 内存需求已永久改变 SK海力士董事长崔泰元表示，AI需求巨大且呈指数级增长，“我看不到HBM需求萎缩的迹象”。…
SK海力士Q2业绩创新高 AI芯片需求推动利润飙升
韩国半导体巨头SK海力士(SK Hynix)周四公布第二季度财报，受益于人工智能(AI)芯片组所需的高带宽内存(HBM)技术持续热销，公司营收与营业利润双双创下历史新高。 业绩表现远超预期 财报显示，SK海力士第二季度营收达22.23万亿韩元(约合170亿美元)，较分析师预期的20.56万亿韩元高出…